靜電放電主要通過放電輻射、靜電感應、電磁感應和傳導耦合等途徑危害電子設備。靜電放電屬于脈沖式干擾，它對電子電路的干擾一般取決于脈沖幅度、寬度及脈沖的能量。一些靜電放電時帶電電壓或能量雖然不大，但由于在極短時間內起作用，其瞬間能量密度也會對期間和電路產生干擾和危害。
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現代電子行業研發與生產過程中，大規模集成電路的應用愈加廣泛。大規模集成電路具體積小、速度快的特點，正是由于其內部線路之間的間距短、面積小，但這必然以犧牲其耐壓、耐流參數為昂貴代價。CMOS電路是集成電路中最常見的電路類型，其對靜電極為敏感。特別是在越來越低的工作電壓所設計的電路中，由于器件柵極氧化膜極薄，因而耐壓界限很低，微小的電荷就能導致器件損壞。靜電放電可是器件內部極間電容立即被充到高電壓，使得氧化物遭到破壞，以致造成短路、開路、擊穿和金屬化層的熔融現象。
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在電子元器件靜電損害中，靜電放電的損害往往只有10%造成電子元器件當時完全失效，通常表現為短路、開路以及參數的嚴重變化，超出其額定范圍，器件完全喪失了其特定功能；而另外90%會潛伏下來，造成累積效應，一般情況下，一次ESD（靜電釋放）后不足以引起器件立即完全失效，但元器件內部會存在某種程度的輕微損傷，通常表現為參數有小的偏差或漂移，潛在失效并不明顯，因為極易被人們忽視，若這種元器件繼續帶傷工作，隨著ESD次數的增加，積累效應越來越明顯，其損傷程度會逐漸加劇，最終必將導致失效。
